
【INDEX News 劉品萱】
2025年全球將啟動18座新半導體晶圓廠建設,【SEMI 報告】指出美洲及日本各占四座,日本熊本兩廠同時推進。TSMC 否認因美國擴廠而延後日本與德國廠,產能擴張趨勢由 AI、高效運算帶動,DRAM與3D‑NAND也重返成長軌道。根據 SEMI 最新世界晶圓廠預測,2025 年將啟動 18 座晶圓廠建設,涵蓋先進製程與成熟節點,而 TSMC 同期否認因美國擴廠而延後日本與德國布局。
2025 全球晶圓廠大擴充
晶圓廠建設預計在 2025 年啟動共 18 座新廠,其中包含 15 座 300 mm 和 3 座 200 mm 廠房,主力計畫將於 2026 至 2027 年投產。其中美洲與日本各佔 4 座,位居最前,其次是中國、歐洲與中東三區,各三座,台灣亦有兩座新廠項目。
AI 和高效運算驅動擴產浪潮
根據 SEMI,2025 年全球晶圓產能將達約 3,360 萬片/月,年增率 6.6% 。先進節點(7 nm 以下)年增高達 16%, 增加超過 30 萬片/月至 220 萬片;而主流節點(8–45 nm)與成熟節點(50 nm 以上)也分別成長約 6% 與 5%,反映車用、IoT 與電源電子應用需求成長。
TSMC 全球布局無延遲
TSMC 最新回應指出,其在美國(亞利桑那)、日本(熊本)與德國(德勒斯登)的多地佈局將同步推進,不存在資金或策略優先侵占:
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亞利桑那 Fab 21:3nm 製程的第二期進度提前至 2027 年投產,並規劃第三、第四期追加 N2 與 A16 技術 。
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日本熊本 Fab 23:首期已於 2024 年底量產,第二期延後主要因當地基礎建設未準備就緒,不涉及資金轉移 。
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德國德勒斯登 Fab 24:與 Bosch、Infineon 和 NXP 合作,依計畫 2027 年投產,高層表示無延後情況。
美國政策與資金支撐
TSMC 在美國投入超過 1,000 億美元,並獲得 CHIPS Act 資助約 66 億~110 億美元 。此外,美國半導體記憶體大廠 Micron 也宣布逾 2,000 億美元投資,將於 2027 年前在美國建設多座 DRAM 廠,并創造九萬以上工作機會 。這些政策與資金背書進一步鞏固 半導體產能擴張與供應鏈本地化趨勢。
擴產帶來多方影響
供應鏈安全與地緣競爭
產能全球分布增加,減少某單一地區風險,有利供應鏈韌性。美日合力推動晶圓廠落地,反映全球戰略分散趨勢。
技術落差與本地規範
台灣仍領先最先進製程,但日本與德國廠重點多在特定應用(如汽車、ASIC、高頻記憶體),美廠則聚焦重裝備與技術外溢。
投資風險與資本壓力
高額資本支出與多地推進同步存在風險;Barron’s 指出 TSMC 美國投資可能拖累其他區域排程 ,提醒企業須慎選布局優先順序。
隨著 18 座新廠齊發,全球半導體 產能擴張勢如破竹,但仍面臨基礎建設準備、技術轉移延遲、資金調度平衡等挑戰。TSMC 將如何在新興市場與台灣本部保持技術領先?各國政策支援是否持續對接?這些是接下來觀察重點。