【INDEX News 劉品萱】
2025年全球將啟動18座新半導體晶圓廠建設，【SEMI 報告】指出美洲及日本各占四座，日本熊本兩廠同時推進。TSMC 否認因美國擴廠而延後日本與德國廠，產能擴張趨勢由 AI、高效運算帶動，DRAM與3D‑NAND也重返成長軌道。根據 SEMI 最新世界晶圓廠預測，2025 年將啟動 18 座晶圓廠建設，涵蓋先進製程與成熟節點，而 TSMC 同期否認因美國擴廠而延後日本與德國布局。
2025 全球晶圓廠大擴充
晶圓廠建設預計在 2025 年啟動共 18 座新廠，其中包含 15 座 300 mm 和 3 座 200 mm 廠房，主力計畫將於 2026 至 2027 年投產。其中美洲與日本各佔 4 座，位居最前，其次是中國、歐洲與中東三區，各三座，台灣亦有兩座新廠項目。
AI 和高效運算驅動擴產浪潮
根據 SEMI，2025 年全球晶圓產能將達約 3,360 萬片／月，年增率 6.6% 。先進節點（7 nm 以下）年增高達 16%， 增加超過 30 萬片／月至 220 萬片；而主流節點（8–45 nm）與成熟節點（50 nm 以上）也分別成長約 6% 與 5%，反映車用、IoT 與電源電子應用需求成長。
TSMC 全球布局無延遲
TSMC 最新回應指出，其在美國（亞利桑那）、日本（熊本）與德國（德勒斯登）的多地佈局將同步推進，不存在資金或策略優先侵占：
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亞利桑那 Fab 21：3nm 製程的第二期進度提前至 2027 年投產，並規劃第三、第四期追加 N2 與 A16 技術 。
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日本熊本 Fab 23：首期已於 2024 年底量產，第二期延後主要因當地基礎建設未準備就緒，不涉及資金轉移 。
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德國德勒斯登 Fab 24：與 Bosch、Infineon 和 NXP 合作，依計畫 2027 年投產，高層表示無延後情況。
美國政策與資金支撐
TSMC 在美國投入超過 1,000 億美元，並獲得 CHIPS Act 資助約 66 億～110 億美元 。此外，美國半導體記憶體大廠 Micron 也宣布逾 2,000 億美元投資，將於 2027 年前在美國建設多座 DRAM 廠，并創造九萬以上工作機會 。這些政策與資金背書進一步鞏固 半導體產能擴張與供應鏈本地化趨勢。
擴產帶來多方影響
供應鏈安全與地緣競爭
產能全球分布增加，減少某單一地區風險，有利供應鏈韌性。美日合力推動晶圓廠落地，反映全球戰略分散趨勢。
技術落差與本地規範
台灣仍領先最先進製程，但日本與德國廠重點多在特定應用（如汽車、ASIC、高頻記憶體），美廠則聚焦重裝備與技術外溢。
投資風險與資本壓力
高額資本支出與多地推進同步存在風險；Barron’s 指出 TSMC 美國投資可能拖累其他區域排程 ，提醒企業須慎選布局優先順序。
隨著 18 座新廠齊發，全球半導體 產能擴張勢如破竹，但仍面臨基礎建設準備、技術轉移延遲、資金調度平衡等挑戰。TSMC 將如何在新興市場與台灣本部保持技術領先？各國政策支援是否持續對接？這些是接下來觀察重點。